一、電子元器件鹽霧腐蝕試驗室執(zhí)行標準：

GB/T2423.17-2008/IEC 60068-2-11-1981鹽霧試驗方法

ASTM.B117-2009鹽霧試驗

JIS H8502鹽水噴霧試驗方法

GB/T10125-2012/ISO 9227-2006鹽水噴霧試驗方法

GB-T5170.8-2008電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗設(shè)備檢驗方法-鹽霧試驗設(shè)備

GB-T5170.11-2008腐蝕性氣體試驗設(shè)備檢驗方法

ISO922鹽霧試驗

GB-T10587-2006鹽霧試驗箱技術(shù)條件

GJB-150.11A-2009裝備環(huán)境試驗方法-鹽霧試驗

二、電子元器件鹽霧腐蝕試驗室主要技術(shù)參數(shù)

根據(jù)試驗需求可以分為：中性鹽霧試驗、酸性鹽霧試驗、銅加速醋酸鹽霧試驗。

1、中性鹽霧試驗NSS試驗

出現(xiàn)目前應(yīng)用領(lǐng)域的一種加速腐蝕試驗方法。采用5%的氯化鈉鹽水溶液，溶液PH值調(diào)在中性范圍6～7)作為噴霧用的溶液。試驗溫度均取35℃，要求鹽霧的沉降量在1～2ml/80cm2.h之間。

2、醋酸鹽霧試驗ASS試驗

在中性鹽霧試驗的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的。它是在5%氯化鈉溶液中加入冰醋酸，使溶液的PH值降為3左右，溶液變成酸性，最后所形成的鹽霧也由中性鹽霧變成酸性。它的腐蝕速度要比中性鹽霧試驗快3倍左右。

3、銅鹽加速醋酸鹽霧試驗CASS試驗

國外新近發(fā)展起來的一種快速鹽霧腐蝕試驗，試驗溫度為50℃，鹽溶液中加入少量的銅鹽—氯化銅，使它強烈誘發(fā)腐蝕。它的腐蝕速度大約是中性鹽霧試驗的8倍。